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Dte043n04na
Wxdh
To-263
Dispositivo+dtg045n04na e dte043n04na+specifica+rev.1.0.pdf
40v
120a
120A 40V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
Questi MOSFET di potenza in modalità di miglioramento del canale N utilizzavano la progettazione avanzata della tecnologia della trincea, fornivano eccellenti RDON e bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.
2 caratteristiche
● AEC Q101 qualificato
● Resistenza bassa
● Carica a basso gate
● Capacità di trasferimento inverse basse
● commutazione rapida
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
3 applicazioni
● Applicazioni di commutazione di alimentazione
● Sistema di gestione degli inverter
● Strumenti elettrici
VDSS | RDS (ON) (tip) | ID |
40v | 3,6 MΩ | 120a |
120A 40V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
Questi MOSFET di potenza in modalità di miglioramento del canale N utilizzavano la progettazione avanzata della tecnologia della trincea, fornivano eccellenti RDON e bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.
2 caratteristiche
● AEC Q101 qualificato
● Resistenza bassa
● Carica a basso gate
● Capacità di trasferimento inverse basse
● commutazione rapida
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
3 applicazioni
● Applicazioni di commutazione di alimentazione
● Sistema di gestione degli inverter
● Strumenti elettrici
VDSS | RDS (ON) (tip) | ID |
40v | 3,6 MΩ | 120a |