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120A 40V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DTE043N04NA TO-263

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
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120a 40V Mode d'amélioration du canal N MOSFET


1 Description 

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● AEC Q101 qualifié 

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Commutation rapide 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 


3 applications 

● Applications de commutation d'alimentation 

● Système de gestion de l'onduleur 

● outils électriques


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
40V 3,6mΩ 120a


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