MOSFET de potencia DTE043N04NA TO-263 del modo de mejora del canal N de 120A 40V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 120 A y 40 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Calificación AEC Q101 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Cambio rápido 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	3,6 mΩ	120A