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120A 40V N-Canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DTE043N04NA TO-263

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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120A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga db5aa05=Dispositivo 20N50 Especificación (1) .pdf 


2 características 

● AEC Q101 calificado 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Cambio rápido 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 3.6mΩ 120a


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