未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 120a 40v N-channel Mode Peningkatan daya MOSFET DTE043N04NA TO-263

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

120A 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DTE043N04NA TO-263

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

120A 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● AEC Q101 yang memenuhi syarat 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Pergantian cepat 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya 

● Sistem manajemen inverter 

● Alat listrik


VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
40v 3.6mΩ 120a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com