未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » » Mosfet » 12V-300V N MOS » 120A 40V N-kanali suurendamise režiim Power Mosfet DTE043N04NA TO-263

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

120A 40V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DTE043N04NA TO-263

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.
Kättesaadavus:
kogus:
Küsima Lisage korvi

120A 40V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET


1 kirjeldus 

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


2 funktsiooni 

● AEC Q101 kvalifitseeritud 

● Madal takistus 

● Madala väravatasu 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus 

● Kiire vahetamine 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 


3 rakendust 

● Toitelülitusrakendused 

● Inverteri haldussüsteem 

● Elektritööriistad


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
40 V 3,6m Ω 120A


Eelmine: 
Järgmine: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com