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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300V NMOS

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MOSFET di potenza D630 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 9 A 200 V D630 TO-252B 200 V 9A Specifiche del dispositivo 630.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 160 A 40 V D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Dispositivo 110N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHD90N03 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 30 V DHD90N03 TO-252B 30 V 90A Dispositivo DH90N03 B17 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 65 A 30 V DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 V 65A Specifiche del dispositivo DH033N03R.pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Dispositivo 80N06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 110 A 100 V D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf

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