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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300V NMOS

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 70 A 60 V DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40 V 120A Dispositivo+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET N 40 V/4,5 mΩ/40 A DSR070N04LA DSR070N04LA
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 250 A 40 V DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Dispositivo DH019N04 Specifiche.pdf
DHS051N10PDFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 V 108A Specifiche del dispositivo DHS051N10P(2).pdf
MOSFET N DTD080N07N TO-252B da 68 V/7,2 mΩ/80 A DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 238A 60V DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238A Dispositivo DH026N06 Specifiche.pdf

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