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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300VNMOS

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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 238A 60V DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238A Spécification de l'appareil DH026N06.pdf
100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A DSD090N10L3A_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 180A 80V DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Spécification de l'appareil DH029N08.pdf
Paquet payant 135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 DSU035N14N3 SONNER 135V 225A DSU035N14N3_Fiche technique_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Spécification de l'appareil DH045N04.pdf
120 V/12 mΩ/70 A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A DSG140N12N3&DSE140N12N3_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 145A 30V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Spécification de l'appareil DH028N03.pdf

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