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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOS 12V-300V N

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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 238A 60V DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238A Especificación del dispositivo DH026N06.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 180A 80V DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Especificación del dispositivo DH029N08.pdf
Paquete de peaje N-MOSFET DSU035N14N3 de 135 V/3,3 mΩ/225 A DSU035N14N3 PEAJE 135V 225A DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A DSG140N12N3 y DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 145A 30V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Especificación del dispositivo DH028N03.pdf

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