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68V/7.2MΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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68V/7.2MΩ/80A N-MOSFET


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


Características 

• Baja de resistencia 

• Capacitancias de transferencia inversa bajas

• Prueba de energía de avalancha de pulso 100% de un solo pulso

• Prueba de 100% ΔVDS 

• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS 


Aplicaciones 

• Control y unidad del motor

• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería 

• Rectificador sincrónico para SMPS


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
68V 7.2mΩ 80A


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