68V/7.2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B

MOSFET N de 68 V/7,2 mΩ/80 A

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

Características 

• Baja resistencia 

• Bajas capacitancias de transferencia inversa

• Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

• Prueba 100% ΔVDS 

• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS 

Aplicaciones 

• Control y accionamiento de motores

• Carga/Descarga del Sistema de Gestión de Baterías 

• Rectificador síncrono para SMPS

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
68V	7,2 mΩ	80A