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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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68V/7.2MΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente RDSON e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

68V/7.2MΩ/80A N-MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


Características 

• baixa resistência 

• Capacitâncias de transferência reversa baixa

• Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

• Teste 100% ΔVDS 

• Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS 


Aplicações 

• Controle e acionamento motor

• Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria 

• retificador síncrono para SMPS


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
68V 7.2mΩ 80a


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