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68 V/7,2 mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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68 V/7,2 mΩ/80A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


Merkmale 

• Niedriger Widerstand 

• Niedrige Umkehrtransferkapazität

• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

• 100% ΔVDS -Test 

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform 


Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem 

• Synchroner Gleichrichter für SMPs


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
68 V 7,2mΩ 80a


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