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68 V/7,2 mΩ/80 A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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68 V/7,2 mΩ/80 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


Merkmale 

• Geringer Widerstand 

• Geringe Rückübertragungskapazitäten

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

• 100 % ΔVDS-Test 

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform 


Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem 

• Synchrongleichrichter für SMPS


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
68V 7,2 mΩ 80A


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