未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS » 68V/7,2MΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

68 V/7,2MΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.
Kättesaadavus:
kogus:
Küsima Lisage korvi

68 V/7,2MΩ/80A N-MOSFET


1 kirjeldus 

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


Omadused 

• Madal takistus 

• Madal tagurpidi ülekande mahtuvus

• 100% ühe impulsi laviini energiatesti

• 100% ΔVDS -test 

• PB-vaba plaadistamine / halogeenivaba / ROHS-ile vastav 


Rakendused 

• Mootori juhtimine ja ajam

• Akuhaldussüsteemi laadimine/tühjendamine 

• SMP -de sünkroonne alald


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
68 V 7,2m Ω 80A


Eelmine: 
Järgmine: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com