未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
70A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
250A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Specifikace zařízení DH019N04.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Specifikace zařízení DHS051N10P(2).pdf
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238A Specifikace zařízení DH026N06.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com