未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
9A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9A Specifikace zařízení 630.pdf
160A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160A Specifikace zařízení 110N04.pdf
90A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Zařízení DH90N03 B17 Specifikace.pdf
65A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Specifikace zařízení DH033N03R.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80A Specifikace zařízení 80N06.pdf
110A 100V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100V 180A Zařízení+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com