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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 70A 60V DATP057N06N DFN5*6

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 70 A 60 V


1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques

● Qualifié AEC-Q101 

● MSL1 jusqu'à 260°C de refusion en pointe 

● Température de fonctionnement de 175 °C 

● Produit vert (conforme RoHS) 

● Commutation rapide 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %


3 candidatures 

● Application automobile

● Applications de commutation de puissance 

● Système de gestion de l'onduleur 

● Outils électriques

VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
60V 5,3 mΩ 70A


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