MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 99 A 100 V DHS052N10P DFN5X6

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 99 A 100 V

1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza 

● Carica di gate bassa

● Elevata corrente da valanga 

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Rettifica sincrona in SMPS

● Commutazione difficile e circuito ad alta velocità 

● Utensili elettrici 

●UPS

● Controllo del motore

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
100 V	5,2 mΩ	99A