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99A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS052N10P DFN5X6

これらのNチャネルエンハンスメントモードの電源MOSFETは、高度なスプライトゲートトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。
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  • DHS052N10P

  • WXDH

  • DHS052N10P

  • DFN5*6-8

  • デバイスDHS052N10P仕様

  • 100V

  • 99a

99A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1説明 

これらのNチャネルエンハンスメントモードの電源MOSFETは、高度なスプライトゲートトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。 


2つの機能 

●高速スイッチング 

●抵抗が少ない 

●低ゲートチャージ

●高雪崩電流 

●低い逆転送容量

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト

●100％ΔVDSテスト 


3つのアプリケーション 

●SMPSの同期整流

●ハードスイッチングおよび高速回路 

●電動工具 

●UPS

●モーター制御



VDSS rds（on）（typ） ID
100V 5.2MΩ 99a


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