99A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS052N10P DFN5X6

99A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ ճեղքված դարպասի խրամուղիների տեխնոլոգիայի նախագծում՝ ապահովելով գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում

● Ձնահոսքի բարձր հոսանք 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Սինխրոն ուղղում SMPS-ում

● Կոշտ անջատում և բարձր արագությամբ միացում 

● Էլեկտրական գործիքներ 

● UPS

● Շարժիչի կառավարում

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
100 Վ	5,2 mΩ	99 Ա