πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » Λειτουργία βελτίωσης 99A 100V N-channel Power MOSFET DHS052N10P DFN5X6

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

99A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 100 V Power MOSFET DHS052N10P DFN5X6

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

99A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Περιγραφή 

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 


3 Εφαρμογές 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS

● Κύκλωμα σκληρής μεταγωγής και υψηλής ταχύτητας 

● Ηλεκτρικά εργαλεία 

● UPS

● Έλεγχος κινητήρα



VDSS RDS(ενεργό)(TYP) ταυτότητα
100V 5,2 mΩ 99Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας