99 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS052N10P DFN5X6

99 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung 

● Elektrowerkzeuge 

● USV

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	5,2 mΩ	99A