MOSFET N DSD065N10L3A TO-252 da 100 V/5,5 mΩ/100 A

MOSFET N da 100 V/5,5 mΩ/100 A

1 Descrizione 

I mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica del gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Qualificato AEC-Q101

● Bassa resistenza 

● Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Controllo e azionamento del motore 

● Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria

● Raddrizzatore sincrono per SMPS

• Applicazione automobilistica

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
100 V	5,5 mΩ	100A