100 V/5,5 mΩ/100 A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

100 V/5,5 mΩ/100 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● AEC-Q101-qualifiziert

● Geringer Widerstand 

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

● Synchrongleichrichter für SMPS

• Automobilanwendung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	5,5 mΩ	100A