100V/5.5mΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

MOSFET N de 100 V/5,5 mΩ/100 A

1 Descripción 

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Calificación AEC-Q101

● Baja resistencia 

● Recubrimiento sin Pb / Sin halógenos / Cumple con RoHS

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor. 

● Carga/Descarga para el sistema de gestión de baterías

● Rectificador síncrono para SMPS

• Aplicación automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	5,5 mΩ	100A