100V/5.5MΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

100V/5.5MΩ/100A N-MOSFET

תיאור אחד 

מצב השיפור N-Channel Power MOSFETs השתמש בתכנון טכנולוגיית Trench Splite Gate Trench מתקדם, סיפק RDSon מעולה ומטען שער נמוך. אשר תואם את תקן ה- ROHS. 

2 תכונות 

● AEC-Q101 מוסמך

● נמוך בהתנגדות 

● תואם ציפוי ללא PB / ללא הלוגן / ROHS

● קיבולי העברה הפוכים נמוכים 

● 100% בדיקת אנרגיה של מפולת דופק בודדת 

● מבחן 100% ΔVDS 

3 יישומים 

● בקרת מנוע וכונן 

● טעינה/פריקה למערכת ניהול סוללות

● מיישר סינכרוני ל- SMP

• יישום רכב

Vdss	RDS (ON) (טיפוס)	תְעוּדַת זֶהוּת
100 וולט	5.5MΩ	100 א