ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
မင်းဒီမှာပါ- အိမ် » » ထုတ်ကုန်များ » MOSFET » 12V-300V N MOS 100V /5.5mΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

loading

မျှဝေရန်-
facebook share ခလုတ်
twitter မျှဝေခြင်းခလုတ်
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
wechat မျှဝေခြင်းခလုတ်
linkedin sharing ကိုနှိပ်ပါ။
pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
whatsapp မျှဝေခြင်းခလုတ်
ဤမျှဝေမှုကို မျှဝေရန် ခလုတ်ကိုနှိပ်ပါ။

100V/5.5mΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာဒီဇိုင်းကိုအသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
ရရှိနိုင်မှု-
အရေအတွက်-
  • DSD065N10L3A

  • WXDH

  • TO-252B

  • Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

  • 100V

  • 100A

100V/5.5mΩ/100A N-MOSFET


1 ဖော်ပြချက် 

N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားပြီး၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 


အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● AEC-Q101 အရည်အချင်းပြည့်မီခြင်း။

● ခုခံမှုနည်းသည်။ 

● Pb-Free အဖြစ်လည်းကောင်း၊ Halogen-Free/ RoHS နှင့် ကိုက်ညီသည်။

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 


3 လျှောက်လွှာများ 

● မော်တာကို ထိန်းချုပ်ပြီး မောင်းနှင်ပါ။ 

● ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်အတွက် အားသွင်းခြင်း/အသုံးမပြုခြင်း။

● SMPS အတွက် synchronous Rectifier

  • မော်တော်ကားလျှောက်လွှာ


VDSS RDS(ဖွင့်)(TYP) အမှတ်သညာ
100V 5.5mΩ 100A


ယခင်- 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
  • အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
    သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်