未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 100V/5.5MΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

100V/5.5MΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

100V/5.5mΩ/100A N-MOSFET


1 deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit gate splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● AEC-Q101 memenuhi syarat

● Rendah pada resistensi 

● Pompat bebas PB / bebas halogen / roHS

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Kontrol dan penggerak motor 

● Pengisian daya/pelepasan untuk sistem manajemen baterai

● Penyearah sinkron untuk SMPS

  • Aplikasi Otomotif


VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
100V 5.5mΩ 100a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com