gerbang
Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100V/5,5mΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

memuat

Bagikan ke:
tombol berbagi facebook
tombol berbagi twitter
tombol berbagi baris
tombol berbagi WeChat
tombol berbagi tertaut
tombol berbagi pinterest
tombol berbagi whatsapp
bagikan tombol berbagi ini

100V/5,5mΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:

100V/5,5mΩ/100A N-MOSFET


1 Deskripsi 

MOSFET daya mode peningkatan saluran-N menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS. 


2 Fitur 

● Memenuhi syarat AEC-Q101

● Resistensinya rendah 

● Pelapisan bebas Pb / Bebas Halogen / Sesuai RoHS

● Kapasitansi transfer balik yang rendah 

● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal 

● Tes ΔVDS 100%. 


3 Aplikasi 

● Kontrol dan penggerak motor 

● Pengisian/Pengosongan untuk Sistem Manajemen Baterai

● Penyearah Sinkron untuk SMPS

  • Aplikasi otomotif


VDSS RDS(aktif)(TYP) PENGENAL
100V 5,5mΩ 100A


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftarlah untuk buletin kami
  • bersiaplah untuk masa depan,
    daftarlah ke buletin kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda