100V/5,5mΩ/100A N-MOSFET DSD065N10L3A TO-252

100V/5,5mΩ/100A N-MOSFET

1 Descrição 

Os mosfets de potência do modo de aprimoramento de canal N usaram design avançado de tecnologia de trincheira splite gate, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Qualificação AEC-Q101

● Baixa resistência 

● Revestimento sem Pb / Sem Halogênio / Compatível com RoHS

● Baixas capacitâncias de transferência reversa 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100% 

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações 

● Controle e acionamento do motor 

● Carga/Descarga para Sistema de Gerenciamento de Bateria

● Retificador Síncrono para SMPS

• Aplicação automotiva

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
100 V	5,5mΩ	100A