Доступность: | |
---|---|
количество: | |
DHS035N10
WXDH
До-220c
Устройство+DHS035N10 & DHS035N10E+Спецификация+Rev.1.0 (1) .pdf
100 В
180a
180a 100 В n-канальный режим улучшения мощности
1 Описание
В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● управление двигателем и привод
● Управление аккумуляторами
● UPS (непрерывные источники питания)
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 3,2 МОм | 180a |
180a 100 В n-канальный режим улучшения мощности
1 Описание
В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● управление двигателем и привод
● Управление аккумуляторами
● UPS (непрерывные источники питания)
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 3,2 МОм | 180a |