180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N10 TO-220

180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ការពិពណ៌នា 

ថាមពលរបៀបពង្រឹង N-channel នេះ MOSFET ប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យា Split Gate Trench កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ Rdson ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការសាកថ្ម Gate ទាបក្នុងពេលតែមួយ។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។

2 លក្ខណៈពិសេស 

● ធន់ទ្រាំទាប 

● ថ្លៃច្រកទ្វារទាប 

● ការប្តូររហ័ស 

● សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប

● 100% ការធ្វើតេស្តថាមពល avalanche ជីពចរតែមួយ

● 100% ΔVDS ការធ្វើតេស្ត 

3 កម្មវិធី 

● ការគ្រប់គ្រងម៉ូទ័រ និងបើកបរ 

● ការគ្រប់គ្រងថ្ម 

● UPS (ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដែលមិនអាចរំខានបាន)

វីឌីអេសអេស	RDS(បើក)(TYP)	លេខសម្គាល់
100V	3.2mΩ	180A