kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 100V N-csatornás továbbfejlesztett mód MOSFET DHS035N10 TO-220

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

180A 100V N-csatornás továbbfejlesztett üzemmód MOSFET DHS035N10 TO-220

Ez az N-csatornás teljesítménynövelő üzemmódú MOSFET fejlett Split Gate Trench technológiát használ, amely kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosít egyszerre. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:

180A 100V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET

1 Leírás 


Ez az N-csatornás teljesítménynövelő üzemmódú MOSFET fejlett Split Gate Trench technológiát használ, amely kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosít egyszerre. Ami megfelel a RoHS szabványnak.


2 Jellemzők 

● Alacsony ellenállás 

● Alacsony kaputöltés 

● Gyors váltás 

● Alacsony fordított átviteli kapacitás

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt 


3 Alkalmazások 

● Motorvezérlés és hajtás 

● Akkumulátorkezelés 

● UPS (szünetmentes tápegység)


VDSS RDS(be)(TYP) ID
100V 3,2 mΩ 180A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket