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DHS035N10
WXDH
PARA-220C
Dispositivo+DHS035N10&DHS035N10E+Especificação+Rev.1.0 (1).pdf
100 V
180A
180A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência
1 Descrição
Este MOSFET de potência de modo de aprimoramento de canal N utiliza tecnologia avançada Split Gate Trench, que fornece excelente Rdson e baixa carga de Gate ao mesmo tempo. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Baixa resistência
● Taxa de portão baixa
● Troca rápida
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Controle e acionamento do motor
● Gerenciamento de bateria
● UPS (fontes de alimentação ininterrupta)
| VDSS | RDS(ligado)(TYP) | EU IA |
| 100 V | 3,2mΩ | 180A |




