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180A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N10 TO-220

Este MOSFET de potência de modo de aprimoramento de canal N utiliza tecnologia avançada Split Gate Trench, que fornece excelente Rdson e baixa carga de Gate ao mesmo tempo. O que está de acordo com o padrão RoHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

180A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência

1 Descrição 


Este MOSFET de potência de modo de aprimoramento de canal N utiliza tecnologia avançada Split Gate Trench, que fornece excelente Rdson e baixa carga de Gate ao mesmo tempo. O que está de acordo com o padrão RoHS.


2 recursos 

● Baixa resistência 

● Taxa de portão baixa 

● Troca rápida 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100% 


3 aplicações 

● Controle e acionamento do motor 

● Gerenciamento de bateria 

● UPS (fontes de alimentação ininterrupta)


VDSS RDS(ligado)(TYP) EU IA
100 V 3,2mΩ 180A


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