未命名 (1) (8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sei qui: Casa » Prodotti » MOSFET » 12v-300v n Mos » 180A 100V N-Canale Modalità di miglioramento Potenza Mosfet DHS035N10 TO-220

caricamento

Condividi a:
Pulsante di condivisione di Facebook
Pulsante di condivisione di Twitter
pulsante di condivisione della linea
Pulsante di condivisione di WeChat
pulsante di condivisione LinkedIn
Pulsante Pinterest Condivisione
Pulsante di condivisione di WhatsApp
ShareThis Pulsante di condivisione

180A 100V Modalità di miglioramento N-channel Mode Mosfet DHS035N10 TO-220

Questo MOSFET di potenziamento della modalità di miglioramento N-Canale utilizza la tecnologia di trincea di Gate Split Advanced, che fornisce un'eccellente carica RDON e bassa gate contemporaneamente. Che accorda con lo standard ROHS.
Disponibilità:
quantità:
Informarsi Aggiungi al cestino

180A 100V MODIEMENTO N-Canale N-Canale Mosfet di potenza

1 Descrizione 


Questo MOSFET di potenziamento della modalità di miglioramento N-Canale utilizza la tecnologia di trincea di Gate Split Advanced, che fornisce un'eccellente carica RDON e bassa gate contemporaneamente. Che accorda con lo standard ROHS.


2 caratteristiche 

● Resistenza bassa 

● Carica a basso gate 

● commutazione rapida 

● Capacità di trasferimento inverse basse

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS 


3 applicazioni 

● Controllo e trasmissione del motore 

● Gestione della batteria 

● UPS (alimentatori ininterruibili)


VDSS RDS (ON) (tip) ID
100V 3,2 MΩ 180a


scaricamento Dispositivo+DHS035N10 e DHS035N10E+Specifica+Rev.1.0 (1) .pdf

Precedente: 
Prossimo: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • Preparati per il futuro
    Iscriviti alla nostra newsletter per ottenere aggiornamenti direttamente alla tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology di Leadong.com