Daha Fazla Bilgi(1)(8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » MOSFET » 12V-300V MOS » 180A 100V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS035N10 TO-220

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

180A 100V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS035N10 TO-220

Bu N-kanal geliştirme modu gücü MOSFET, aynı anda mükemmel Rdson ve düşük Geçit şarjı sağlayan gelişmiş Split Gate Trench teknolojisini kullanır. RoHS standardına uygundur.
Stok Durumu:
Adet:
Sor Sepete Ekle

180A 100V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 


Bu N-kanal geliştirme modu gücü MOSFET, aynı anda mükemmel Rdson ve düşük Geçit şarjı sağlayan gelişmiş Split Gate Trench teknolojisini kullanır. RoHS standardına uygundur.


2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● Motor kontrolü ve sürücü 

● Pil yönetimi 

● UPS (Kesintisiz Güç Kaynakları)


VDSS RDS(açık)(TİP) İD
100V 3,2 mΩ 180A


indirmek Cihaz+DHS035N10&DHS035N10E+Spesifikasyon+Rev.1.0 (1).pdf

Öncesi: 
Sonraki: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknoloji: leadong.com