Наявність: | |
---|---|
Кількість: | |
DHS035N10
WXDH
До-220c
Пристрій+DHS035N10 & DHS035N10E+Специфікація+Rev.1.0 (1) .pdf
100 В
180а
180а 100 В N-канальний режим посилення потужності MOSFET
1 опис
Цей N-канальний режим розширення Power Mosfet використовує вдосконалену технологію траншеї Split Gate, яка одночасно забезпечує чудовий заряд RDSON та низьких воріт. Що відповідає стандарту ROHS.
2 особливості
● Низька опір
● Низький заряд воріт
● Швидкий перемикання
● Низька ємність зворотного перенесення
● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином
● 100% ΔVDS -тест
3 програми
● Керування двигуном та привід
● Управління акумуляторами
● ДБЖ (безперебійні джерела живлення)
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Ідентифікатор |
100 В | 3,2 МОм | 180а |
180а 100 В N-канальний режим посилення потужності MOSFET
1 опис
Цей N-канальний режим розширення Power Mosfet використовує вдосконалену технологію траншеї Split Gate, яка одночасно забезпечує чудовий заряд RDSON та низьких воріт. Що відповідає стандарту ROHS.
2 особливості
● Низька опір
● Низький заряд воріт
● Швидкий перемикання
● Низька ємність зворотного перенесення
● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином
● 100% ΔVDS -тест
3 програми
● Керування двигуном та привід
● Управління акумуляторами
● ДБЖ (безперебійні джерела живлення)
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Ідентифікатор |
100 В | 3,2 МОм | 180а |