MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 100V, DHS035N10 TO-220

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180 A 100 V

1 Descriptif 

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

2 Caractéristiques 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures 

● Contrôle et entraînement du moteur 

● Gestion de la batterie 

● UPS (alimentations sans interruption)

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
100V	3,2 mΩ	180A