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180a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DHS035N10 TO-220

Cette puissance MOSFET en mode d'amélioration du canal N utilise une technologie avancée de tranchée de porte Split, qui offre une excellente charge RDSON et Low Gate en même temps. Qui correspond à la norme ROHS.
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180a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET

1 Description 


Cette puissance MOSFET en mode d'amélioration du canal N utilise une technologie avancée de tranchée de porte Split, qui offre une excellente charge RDSON et Low Gate en même temps. Qui correspond à la norme ROHS.


2 caractéristiques 

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Commutation rapide 

● Capacités de transfert inverse faibles

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Contrôle et entraînement du moteur 

● Gestion de la batterie 

● UPS (alimentation ininterrupable)


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
100V 3,2mΩ 180a


télécharger Appareil + DHS035N10 & DHS035N10E + Spécification + Rev.1.0 (1) .pdf

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