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180a 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHS035N10 TO-220

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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180a 100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 


Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 3,2 mΩ 180a


herunterladen Gerät+DHS035N10 & DHS035N10E+Spezifikation+Rev.1.0 (1) .pdf

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