未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 180A 100V N-CHANNEL REŽIMEM POWER MOSFET DHS035N10 TO-220

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

180a 100v n-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS035N10 TO-220

Tento režim vylepšení N-kanálu Power MOSFET využívá pokročilé technologii Split Gate Trench, která současně poskytuje vynikající náboj RDSON a nízký náboj. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

180a 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Popis 


Tento režim vylepšení N-kanálu Power MOSFET využívá pokročilé technologii Split Gate Trench, která poskytuje zároveň vynikající náboj RDSON a nízké brány. Který v souladu se standardem ROHS.


2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Řízení a pohon motoru 

● Správa baterií 

● UPS (nepřetržité napájecí zdroje)


VDSS RDS (on) (typ) Id
100v 3,2 mΩ 180a


Stáhnout Zařízení+DHS035N10 & DHS035N10E+Specifikace+Rev.1.0 (1) .pdf

Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by vodong.com