180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N10 TO-220

180A 100V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET

1 Popis 

Tento výkonový MOSFET v režimu N-kanálového vylepšení využívá pokročilou technologii Split Gate Trench, která poskytuje vynikající Rdson a zároveň nízké nabíjení brány. Což odpovídá standardu RoHS.

2 Vlastnosti 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Řízení motoru a pohonu 

● Správa baterie 

● UPS (nepřerušitelné zdroje napájení)

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
100V	3,2 mΩ	180A