MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DHS035N10 TO-220

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 100 V

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor. 

● Gestión de la batería 

● UPS (Suministros de energía ininterrumpida)

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	3,2 mΩ	180A