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180A 100V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS035N10 TO-220

Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.
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180A 100V MODANCE DE MEDIA DE MEJORA DEL CANAL

1 descripción 


Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.


2 características 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor 

● Gestión de la batería 

● UPS (fuentes de alimentación ininterrupibles)


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 3.2mΩ 180A


descargar Dispositivo+DHS035N10 y DHS035N10E+Especificación+Rev.1.0 (1) .pdf

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