135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET
1 Kuvaus
Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
• Alhainen vastus
• Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
• Pb-vapaa pinnoitus / halogeeniton / RoHS-yhteensopiva
• 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
• 100 % ΔVDS-testisovellukset
3 Sovellus
• Virrankytkentäsovellukset
• DC-DC-muuntimet
• Täysi siltaohjaus
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 135V |
3,3 mΩ |
225A |