135V/3.3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 แพ็คเกจค่าผ่านทาง

135V/3.3mΩ/225A N-MOSFET

1 คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

• ความต้านทานต่ำ 

• ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

• การชุบแบบปลอดสาร Pb / ปลอดสารฮาโลเจน / เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS

• การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

• แอปพลิเคชันการทดสอบ ΔVDS 100%

3 การสมัคร

• แอพพลิเคชั่นสวิตชิ่งเพาเวอร์

• ตัวแปลงไฟ DC-DC

• การควบคุมบริดจ์แบบเต็ม

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
135V	3.3mΩ	225A