ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
90A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 ДО-220С 40В 90А Специфікація пристрою DH045N04.pdf
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ТО-263 100В 170А Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 ДО-220С 60В 100А Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
 N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 ДО-220С 60В 145А Специфікація пристрою DH045N06.pdf
135 В/3,3 мОм/225 А N-MOSFET DSU035N14N3 Платний пакет DSU035N14N3 ПЛАТА 135В 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D ТО-252Б 100В 50А Специфікація пристрою DH045N04.pdf
120 В/12 мОм/70 А N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120В 70А Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 ДО-220С 80В 180А Специфікація пристрою DH029N08.pdf
120A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 ДО-220С 60В 120А Пристрій+DH065N06+Специфікація+Ред.2.0.pdf
 N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 ДО-220С 98В 120А Пристрій DHS045N98 Specification-Rev.1.0.pdf
180A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
100A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A ДО-220С 68В 100А Специфікація пристрою DH3205A.pdf
 N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
145A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D ТО-252Б 30В 145А Специфікація пристрою DH028N03.pdf
100 В/2,2 мОм/180 А N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A ТО-263 100В 180А Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
40 В/0,85 мОм/200 А N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 КОМПЛЕКТ DSE012N04NA ТО-263 40В 200А Donghai_DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
270A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS044N12U ПЛАТНИЙ ПАКЕТ DHS044N12U ПЛАТА 120В 270А Donghai_DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
59A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 ДО-220С 100В 59A Специфікація пристрою 60N10B76(1).pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30В 100А Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
 DSG070N10L3 ТО-220 DSG070N10L3 ДО-220С 100В 100А Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку