200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

● Pb-vapaa pinnoitus / halogeeniton / RoHS-yhteensopiva

3 Sovellukset 

• Virrankytkentäsovellukset 

• DC-DC-muuntimet

• Täysi siltaohjaus

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID	Paketti
200V	11mΩ	110A	-220C