200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 Deskripsi

MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS. 

2 Fitur 

● Resistensinya rendah 

● Kapasitansi transfer balik yang rendah

● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal

● Tes ΔVDS 100%.

● Pelapisan bebas Pb / Bebas Halogen / Sesuai RoHS

3 Aplikasi 

• Aplikasi peralihan daya 

• Konverter DC-DC

• Kontrol jembatan penuh

VDSS	RDS(aktif)(TYP)	PENGENAL	Kemasan
200V	11mΩ	110A	TO-220C