200 V / 11mΩ / 110a N-MOSFET DSG108N20NA à 220C

200 V / 11mΩ / 110a N-MOSFET

1 Description

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 

2 caractéristiques 

● Faible de résistance 

● Capacités de transfert inverse faibles

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS

● Pb-Free Plating / HalogoGe / ROHS conforme

3 applications 

• Applications de commutation d'alimentation 

• Convertisseurs DC-DC

• Contrôle complet du pont