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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET
Disponibilité :
Quantité :

200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET


1 Descriptif


Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Faible résistance 

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

● Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS


3 candidatures 

• Applications de commutation de puissance 

• Convertisseurs DC-DC

• Contrôle total du pont


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT Emballer
200V 11 mΩ 110A TO-220C


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