200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET
1 Descriptif
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Faible résistance
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
● Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS
3 candidatures
• Applications de commutation de puissance
• Convertisseurs DC-DC
• Contrôle total du pont
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
Emballer |
| 200V |
11 mΩ |
110A |
TO-220C |