200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

3 Anwendungen 

• Leistungsschaltanwendungen 

• DC-DC-Wandler

• Volle Brückenkontrolle

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS	Paket
200V	11mΩ	110A	TO-220C