200 V/11MΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200 V/11MΩ/110A N-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform

3 Anwendungen 

• Stromschaltanwendungen 

• DC-DC-Konverter

• Vollbrückenkontrolle