դարպաս
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Դուք այստեղ եք՝ Տուն » Ապրանքներ » ՄՈՍՖԵՏ » 12V-300V N MOS » 200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

բեռնում

Կիսվել՝
Ֆեյսբուքի փոխանակման կոճակը
Twitter-ի համօգտագործման կոճակը
տողերի փոխանակման կոճակ
wechat-ի փոխանակման կոճակը
linkedin-ի համօգտագործման կոճակը
pinterest-ի համօգտագործման կոճակը
whatsapp-ի համօգտագործման կոճակը
կիսել այս համօգտագործման կոճակը

200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200V/11mΩ/110A N-MOSFET
Առկայություն՝
Քանակ:

200V/11mΩ/110A N-MOSFET


1 Նկարագրություն


Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ ճեղքված դարպասի խրամուղիների տեխնոլոգիայի նախագծում՝ ապահովելով գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 


2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ

● Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS համապատասխան


3 Դիմումներ 

• Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ 

• DC-DC փոխարկիչներ

• Կամուրջի ամբողջական կառավարում


VDSS RDS(միացված)(TYP) ID Փաթեթ
200 Վ 11 mΩ 110 Ա TO-220C


Նախորդը: 
Հաջորդը: 
  • Գրանցվեք մեր տեղեկագրին
  • պատրաստվեք ապագայի համար,
    գրանցվեք մեր տեղեկագրում՝ թարմացումներ անմիջապես ձեր մուտքի արկղում ստանալու համար