200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

● Recubrimiento sin Pb / Sin halógenos / Cumple con RoHS

3 aplicaciones 

• Aplicaciones de conmutación de energía 

• Convertidores CC-CC

• Control total del puente

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN	Paquete
200V	11mΩ	110A	TO-220C