200V/11MΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200V/11MΩ/110A N-MOSFET

1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

● Bajo en resistencia 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

● Capazante de placas sin PB / sin halógeno / ROHS

3 aplicaciones 

• Aplicaciones de conmutación de encendido 

• convertidores DC-DC

• Control completo del puente