200V/11mΩ/110A N-MOSFET
1 توضیحات
این ماسفتهای قدرتی حالت ارتقای کانال N از طراحی پیشرفته فناوری ترانشه گیت اسپلیت استفاده میکردند که Rdson عالی و شارژ کم گیت را ارائه میداد. که مطابق با استاندارد RoHS است.
2 ویژگی
● مقاومت کم
● ظرفیت های انتقال معکوس کم
● تست 100% انرژی بهمن تک پالس
● تست 100% ΔVDS
● آبکاری بدون سرب / بدون هالوژن / سازگار با RoHS
3 برنامه های کاربردی
• برنامه های سوئیچینگ برق
• مبدل های DC-DC
• کنترل کامل پل
| VDSS |
RDS(روشن)(TYP) |
شناسه |
بسته |
| 200 ولت |
11mΩ |
110A |
TO-220C |