Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 12V-300V N MOS » 200V/11MΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

încărcare

Distribuie la:
Buton de partajare Facebook
Buton de partajare pe Twitter
Buton de partajare a liniei
Buton de partajare WeChat
Butonul de partajare LinkedIn
Butonul de partajare Pinterest
Butonul de partajare WhatsApp
Buton de partajare Sharethis

200V/11MΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C

200V/11MΩ/110A N-MOSFET
Disponibilitate:
Cantitate:

200V/11MΩ/110A N-MOSFET


1 Descriere


Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat designul tehnologiei avansate de poartă de tip poartă, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă a porții. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 


2 caracteristici 

● Rezistență scăzută 

● Capacități de transfer invers scăzut

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă

● Test 100% ΔVDS

● Placare fără PB / fără halogen / ROHS


3 aplicații 

• Aplicații de comutare a puterii 

• Converter DC-DC

• Controlul complet al podului


VDSS RDS (ON) (TIP) Id Pachet
200V 11mΩ 110a Până la 220c


Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail