Disponibilitate: | |
---|---|
Cantitate: | |
DSG108N20NA
Wxdh
Până la 220c
200V
110a
200V/11MΩ/110A N-MOSFET
1 Descriere
Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat designul tehnologiei avansate de poartă de tip poartă, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă a porții. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
2 caracteristici
● Rezistență scăzută
● Capacități de transfer invers scăzut
● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă
● Test 100% ΔVDS
● Placare fără PB / fără halogen / ROHS
3 aplicații
• Aplicații de comutare a puterii
• Converter DC-DC
• Controlul complet al podului
VDSS | RDS (ON) (TIP) | Id | Pachet |
200V | 11mΩ | 110a | Până la 220c |
200V/11MΩ/110A N-MOSFET
1 Descriere
Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat designul tehnologiei avansate de poartă de tip poartă, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă a porții. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
2 caracteristici
● Rezistență scăzută
● Capacități de transfer invers scăzut
● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă
● Test 100% ΔVDS
● Placare fără PB / fără halogen / ROHS
3 aplicații
• Aplicații de comutare a puterii
• Converter DC-DC
• Controlul complet al podului
VDSS | RDS (ON) (TIP) | Id | Pachet |
200V | 11mΩ | 110a | Până la 220c |