108A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8

Výkonový MOSFET 108A 85V N-channel Enhancement Mode

1 Popis

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Vysoký lavinový proud 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● Test 100% ΔVDS 

3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS 

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí

● UPS 

● Ovládání motoru

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
85V	4,2 mΩ	108A