108A 85V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8

108A 85V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีการออกแบบร่องลึกแยกเกตขั้นสูง ซึ่งให้ค่า Rdson และเกตต่ำที่ยอดเยี่ยม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ 

● กระแสหิมะถล่มสูง 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS 

● ฮาร์ดสวิตชิ่งและวงจรความเร็วสูง

● เครื่องมือไฟฟ้า

● ยูพีเอส 

● การควบคุมมอเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
85V	4.2mΩ	108เอ